КОНЦЕПТУАЛИЗАЦИЯ ПОНЯТИЯ ТЕХНОЛОГИИ.

Матюшкин И.В. (zaisev@mikron.ru)

АООТ НИИМЭ и завод МИКРОН

В современном мире человек окружен разнообразными техническими устройствами. Их появление обусловлено развитием технологий (и наоборот). Технологии существуют не только в сфере техники, но также в биологических системах, будучи созданы Природой, в области социологии и психологии, являясь результатом длительного и еще мало познанного становления человеческого общества. В качестве примера из области техники можно взять технологию производства микросхем, которая, например, описана в [3] и далее принята нами за реперную точку . В биологии известны, например, процесс трансляции, цикл трикарбоновых кислот. Важное психолого-социальное значение имеет учебный процесс. Поэтому крайне актуальна задача обобщенного рассмотрения понятия технология и всего ему сопутствующего. Чтобы сделать первый шаг в решении этой задачи, далее мы будем основываться на теоретическом аппарате концептуального анализа и синтеза, развиваемом в научной школе С.П.Никанорова. Систематическое изложение этого аппарата дано в [1]. Ниже мы приведем ряд концептуальных схем (КС), отталкиваясь от представления о технологии как о процессе. Справедливости ради нужно сказать, что КС в атрибутивной форме составлены на менее строгом уровне, чем предполагается это в [1 ]. Также для простоты мы не различаем pr и Pr: проекции сложного элемента и множества сложных элементов на ось компонента, которые представляют соответственно элемент и подмножество множества компонентов.

1. КС Технологическая операция

Под технологической операцией (ТО) будем понимать целенаправленное изменение состояния одного или нескольких полуфабрикатов одновременно, производимое в течение конечного промежутка времени при участии одной единицы оборудования и расходных материалов. Прилагательное целенаправленный вносит осложняющий момент в концептуализацию ТО, однако ударение здесь следует делать на словах изменение состояния . Неоценимую помощь нам оказывает КС Процесс с ролями [1 ] и его детализация, приведенная в [2]. ТО следует рассматривать как динамический процесс с ролями . Примером технологической операции может служить автоэпитаксия кремния. В этой ТО кремниевые пластины помещаются на пьедестал реактора, после продувки реактора азотом в камеру подается смесь газов, на поверхности каждой пластины происходит осаждение слоя кремния, чем и достигается цель ТО. Продукты химической реакции непрерывно сжигаются на выходе ПГС из реактора в скруббере.

На рис. 1 приведена КС ТО в атрибутивной форме. Наряду с понятиями входа и выхода рассматриваются ограничения и следствия. Это отличает КС ТО не только от КС Процесс с ролями , но и от КС Абстрактный процесс [1], хотя

теоретически и можно учесть это различие, изменив множество элементов процесса. Кроме того, мы четче разграничили элементы входа (выхода), выделив их в самостоятельные множества.

Субстрат(ы)

Ш

Рис. 1 Концептуальная схема ТО в атрибутивной форме.

В качестве субстрата в эпитаксиальном процессе выступает полупроводниковая пластина. Она может быть описана своим состоянием. Поскольку в реактор обычно загружается несколько пластин, то каждая пластина характеризуется своим начальным состоянием, которое может отличаться от среднего. В эпитаксиальном процессе расходуются различные газы (H2;HCl;SiCl4 или SiH2Cl2, или SiH4) и энергия, затрачиваемая на нагрев пьедестала и т.п. Здесь хотелось бы отметить одну тонкость, которую легко можно не заметить. Газ, находящийся в баллоне, и газ, поступающий на вход ПГС - два разных объекта. Например, газ, прошедший уже через газовую магистраль, может быть загрязнен посторонними примесями и иметь иную температуру. Это и есть отходы (потенциальные), которые отнюдь не по ошибке помещены на рис.1. на вход процесса. Основным оборудованием является, очевидно, сам эпитаксиальный реактор. Он выполняет функцию процессора [1]. Вспомогательным оборудованием являются газовые магистрали (причем для водорода магистраль общая для всего завода), пинцет оператора, с помощью которого он берет пластины до и после процесса роста кремниевого слоя, и т.п. Функция вспомогательного оборудования ( сопроцессора ) заключается в сведении воедино всех компонентов так, чтобы они образовали ту допустимую конфигурацию, при которой может начаться (окончиться) основной процесс. Автор [4], рассматривая сборочное изделие консольное крепление колеса на рычаге с помощью оси, шайбы и гайки , назвал подобное кинематическими основами сборки. В [1 ] подчеркивается уже в КС Абстрактный процесс (Ах3), что одному входу предопределен единственный выход . Однако при разных технологических режимах даже при одинаковых состояниях на входе могут получиться различные состояния на выходе. Например, чрезмерно уменьшив длительность травления в парах HCl, можно получить эпитаксиальный слой с повышенной дефектностью [3]. Правда, технологические режимы, отличающиеся рабочей температурой пластины, вполне описываются в

терминах состояний : достаточно указать компонентой состояния основного оборудования- быть нагретым до Т=.... . В производственной практике получили распространение циклограммы, представляющие зависимость характеристик процесса (подаваемый в данный момент в реактор газ, температура) от времени, т.е. эксплицирующие собой технологический режим. Перед технологом часто стоит задача выбора оптимального технологического режима, при этом желательно поставить ему в соответствие какие-либо показатели качества. Такими критериями могут служить затраты энергии и материалов в рублевом выражении, толщина осаждаемого слоя на стенках реактора, механические напряжения, возникшие в пьедестале, общая длительность процесса.

Запишем КС Технологическая операция в родоструктурной форме: Понятия:

Х0- множество промежутков времени;

Х - множество состояний субстрата;

Х1- множество состояний основного оборудования;

Х2- множество состояний расходных материалов (включая энергию);

Х3- множество состояний отходов;

Х4- множество состояний вспомогательного оборудования; Х5- множество значений критериев качества; Y - множество конфигураций. Отношения:

D0e B(B(X)x(X1xB(X2)xB(X3))xY); D1G B((X0xB(X4))xD0xD0);

B(D1xX5). Аксиомы (ограничения):

Ax0: (X0>3)a(X0<co);

Лхь VdeD0 (pdHprd) 0)A(pr2(pr2d) 0)A(pr3(pr2d) *0);

AX2: VdeD1 (prd) *0);

Ax3: VdeD1 (pr1(pr2d=0)) => (pr2(pr3d=0));

AX4: Vd,peD1 ((pr1d=pr1p)A (pr2d=pr2p)) => (pr3d=pr3p);

Ax5: 3!aeD1: VdeDi (pr2apr3d)v(d=a);

Ax6: 3!beD1: VdeDi (pr3bpr2d) v(d=b) (сильнее Ax6: Di<co); Ax7: VdeD1 3!peD1: (pr3d=pr2p); Ax8: VdeD2 (pr0).

Среди базовых понятий КС ТО , пожалуй, следует остановиться на множествах Х0, Х5, и Y. Элементом Х0 является не мгновенное значение по шкале времени, а длительность промежутка времени, выражаемая положительным числом. Множество Х5 вводится нами, конечно, из соображений дальнейшей оптимизации ТО. Можно принять Х5сБт (m- натуральное число), но элемент из Х5 еще не является вектором в многокритериальном пространстве, операции сравнения с идеалом еще не производится. Множество Х5 уподобим множеству выходных характеристик объекта управления [1]. Множество Y восполняет недостаток

информации по входу процесса, его элементами могут являться следующие пропозиции: совмещены вместе , разъединены , пластина расположена в нижней части пьедестала , пластина в контейнере , заготовка между молотом и наковальней .

Родовая структура D0 определяет вход ( выход ) процесса. Одновременно она выражает влияние конфигурационных ограничений, т.е. дает множество допустимых входных (выходных) состояний. Элемент из D0 представляет собой двойку состояние нескольких субстратов; тройка: состояние оборудования; состояние нескольких расходных материалов; состояние нескольких компонентов отходов в какой-либо из возможных конфигураций. Заметим, что если используется n>1 субстратов, то целесообразно заменить B(X) на Хп; поскольку основное оборудование в каждой ТО используется в единственном экземпляре, то мы не стали ставить знак булеана у Х1. Смысл булеанов для X2, X3, X4 таков, что в ТО могут быть задействованы несколько элементов из этих множеств одновременно (например, если в реактор подаются SiH2Cl2+HCl, то рассматривается двухэлементное подмножество). Родовая структура D1, если убрать первую компоненту декартова произведения, практически повторяет собой родовую структуру КС Абстрактный процесс [1 ]. Эта компонента имеет смысл условий технологического режима, при которых возможен переход входа в выход . Элемент из D1 есть двойка: данный промежуток времени плюс имеющееся вспомогательное оборудование в данном состоянии; пара входа-выхода . Родовая структура D2 ставит в соответствие множеству путей осуществления ТО множество их агрегированных характеристик.

Аксиома Ах0 указывает на финитность множества Х0 и наличие в нем по крайней мере, трех элементов. Их можно интерпретировать через названия частей литературного произведения: завязка ( соединение ), кульминация ( выполнение основной операции ), развязка ( разъединение ). Важно отметить, что множество Х0 в общем случае неупорядочено. Аксиома Ах1 предполагает наличие всех компонент ТО, кроме, быть может, субстрата. Последний случай (на первый взгляд странный) имеет место при проведении регламентно-профилактических работ для восстановления частично утраченных качеств основного оборудования. Аксиома Ах2 говорит: Всякое изменение состояния имеет длительность . Аксиома Ах3 в некотором смысле является порождением Ах1: Если субстрат отсутствовал в начале процесса, то он будет отсутствовать и в конце процесса . Аксиома Ах4 в расширенной форме утверждает то же, что и Ах3 в КС Абстрактный процесс : При данных технологических условиях и входном состоянии единственно состояние выхода . Аксиомы Ах5, Ах6, Ах7 имеют принципиальное значение, напоминая нам о том, что ТО все-таки не один процесс, а цепочка последовательно связанных процессов. То, что мы не стали делать на множестве Х0, мы сделаем сейчас, вводя порядок на множестве D1: существует первый элемент (Ах5), существует последний (Ах6; более сильно установить в Ах6 финитность D1, откуда следует существование данных элементов), для каждого элемента, кроме последнего, единственен последующий (Ах7). Естественно связать

этот порядок с тождественностью входа одного процесса выходу другого. Последняя аксиома Ах8 определяет наличие того, что подлежит оценке.

2.КС Технологический маршрут

Под технологическим маршрутом (ТМ) мы понимаем такую последовательность технологических операций (из заданного набора), совершаемых в определенном технологическом режиме, чтобы воспроизводимо достигалось получение желаемого изделия при заданном уровне контроля и тестирования. Ключевыми словами здесь являются последовательность , воспроизводимость и тестирование . На рис.2 показана концептуальная схема технологического маршрута в атрибутивной форме.

Рис.2 Концептуальная схема Технологический маршрут в атрибутивной форме.

В родоструктурной форме КС Технологический маршрут представляется: Понятия:

X- множество состояний субстрата;

X - множество идеалов (проектов);

Y- множество наименований технологических операций;

Z1- множество значений критериев качества ТО;

Z- множество значений критериев качества ТМ;

Вспомогательные понятия: Если R+- множество неотрицательных действительных чисел, то введем на множестве Х расстояние (метрику) и семейство мер:

F1=(XxX)xR+;

F2=(B(X)xX)xR+;

Численные значения расстояния и меры будем обозначать соответственно: f(x,y) Vx,yeX и fx(X1) при фиксированном xeX и VX1czX. Также введем шею, 81,82eR+, причем е1>82>0.

Отношения:

D1eB(X*m+1);

D2B(X*xB(X));

D3e B(Yx(B(X)xB(X))xZ1);

D4eB(D1xD3m);

D5eB(D4xZ).

Аксиомы (ограничения): (i=1,2,...,m) Ax0: (VxeX*) (xeX); Ax1: Vd,peFj (pr1d=pr1p)=> (pr2d=pr2p), j=1,2.

Ax2: Vx,y,zeX ((f(x,y)=0 <=> x=y)A(f(x,y)=f(y,x))A(f(z,x)<f(z,y)+f(y,x)));

Ax3: VxeX (X12£=>(fx(X1)<fx(X2));

Ax4: VdeD1 Vi prid0;

Ax5: VdeD2 (pr1d0)A( pr2d0);

Ax6: Vd,peD2 (pr1d=pr1p) =>(pr2d=pr2p);

Ax7: VdeD2 (x=pr1d) =>(Vyepr2d f(x,y)<82);

Ax8: VdeD3 ((pr1d0)A(pr1(pr2d)0));

Ax9: Vd,peD3 (((pr1d=pr1p)A(pr2d=pr2p)) (prsd=pr3p));

Ax10: VdeD3 ((Vx,yepr1(pr2d) f(x,y)<81)A(Vx,yepr2(pr2d) f(x,y)<81);

Ax11: VdeD1 Vi 3peD2: prid=pr1p;

Ax12: VdeD4 (pr1d0);

AxD: Vde D4,Vi (З^е pr1(pr2d): f(xbpri(pnd))<81)A(3xi+1e ppd):

f(xi+1,pri+1(pr1d))<81);

Ax14: VdeD4 pprd) pr1(pri+1(pr2d)); Ax15: Vd,peD4 (pr2d=pr2p) => (pr1d=pr1p); Ax16: Vde D5 (pr1d0)A(pr2d0).

TR1=(pr1d deD3: ((pr1(pr2d)=pr2(pr2d))A(pr3d0))}, TRj.cz Y - множество наименований операций неразрушающего контроля;

TR1=(pr1ddeD3: ((pr2(pr2d)=0)A(pr3d0))}, TRY- множество наименований операций разрушающего контроля; Для произвольного элемента deD4 введем следующие термы:

TR3d={x xepr1(pr2(pr1(pr2d)))}- вход технологического маршрута;

TR4d={x xepr2(pr2(prm(pr2d)))}- выход технологического маршрута;

Очевидно, что если v=prm+1(pr1d), то VdeD4 3!peD2: pr2p=v. Тогда:

TR5d=%d=fv(pr2p)/fv(TR4d) - процент выхода годных;

TR6d=extd= fv(TR4d)/ fv(TR3d)

Технологический маршрут рассматривается нами снова как цепочка связанных процессов, но с двумя коренными отличиями от КС Абстрактный процесс и КС Технологическая операция . Во-первых, основное внимание уделяется преобразованиям субстрата, а то, что происходит, например, с оборудованием, оставляется в стороне. Во-вторых, ТО в составе ТМ имеет вероятностный смысл, т. е. входному состоянию субстрата отвечает несколько близких друг к другу состояний выхода . Частично это связано с вышесказанным, частично- с неизбежной неполнотой информации об участниках ТО. В силу этого на первый план среди критериев качества ТМ выступает процент выхода годных.

Среди понятий наиболее просто расшифровать Y, В технологии СБИС элементами этого множества будут, например, эпитаксия , молекулярно-лучевая эпитаксия , травление , окисление , ионная имплантация и т.д. Множество X в КС ТМ формально совпадает с тем же Х в КС ТО, но на самом деле оно более полно определяет действительное состояние субстрата. В самом деле, при какой-либо одной ТО можно не учитывать явно те компоненты состояния, которые не изменяются в ходе ТО и не влияют на ход ТО. Во многих учебных руководствах по микроэлектронике, рассматривая типичный технологический процесс, например производства биполярных ИС, обычно приводят последовательность рисунков с изображением топологии элементов ИС сбоку, получаемой после каждой произведенной ТО. Таким образом, во множестве Х можно выделить его подмножество Х аХ (см. Ах0), отражающее все промежуточные желаемые состояния субстрата, или идеалы (проекты). Мы должны также иметь возможность отличить состояние, близкое к данному идеалу, т.е. вполне достижимое в реальной ТО, от далекого от него состояния или, например, близкого, но уже к другому идеалу. С этой целью вводится метрика F1 на X. Кроме того, ТМ в соответствии с рис.1 обнаруживает сходство с отображением множества исходных состояний субстрата (в микроэлектронике оно представлено партией пластин с каким-то разбросом параметров) на изначально более широкое множество конечных состояний субстрата (в микроэлектронике им служит партия пластин, еще не разделенных на кристаллы). Для характеристики этих множеств метрики недостаточно, нужно ввести меру F2. Это дает нам удобное средство для вычисления процента выхода годных. Множество Z1 наследовано нами из множества Х5 в КС ТО. Снова заметим, что Z1 шире, чем множество критериев качества любой ТО. Множество Z естественно обобщает встречающиеся в ТМ элементы Z1, но определяется ими не полностью. Компонентой элемента этого множества может быть упомянутый выход годных, а также характеристики, входящие аналогично в Z1 для ТО: суммарный расход энергии (в кДж или уже в $), общая длительность процесса. Можно сюда включить степень разнообразия оборудования, используемого в данном ТМ. Относительно Z1,Z верны те замечания, что были сделаны ранее относительно Х5 в КС ТО, за исключением выхода годных, где мы вынуждены проводить сравнение с идеалом. В КС ТМ, кроме множеств, присутствуют три числа: m- общее число ТО, последовательно совершаемых в данном ТМ, е1- параметр, определяющий действительный разброс состояний

субстрата на выходе ТО, 82- параметр, определяющий допустимый разброс состояний субстрата от проекта состояний субстрата на выходе ТО.

Родовая структура D1 состоит из кортежей идеалов, которые технолог и проектировщик желают получить в ходе ТМ. Назовем элемент D1 путем ТМ. Поскольку число ТО всегда меньше на единицу числа идеалов (прибавляется еще и начальный идеал), то декартово произведение стоит в (ш+1)-й степени. Элемент из D2 ставит идеалу в соответствие его окрестность , т.е. допустимые для технолога состояния. Важнейшее значение имеет структура D3, задавая summary из ТО. Ее элемент представляет собой тройку: наименование операции; подмножество двоек: несколько состояний входа ТО; несколько состояний выхода ТО ; соответствующий критерий качества . Ограничения на структуру D3 рассмотрим ниже, но пока заметим, что: во-первых, в общем случае переход от одного идеала к последующему может быть осуществлен с помощью разных ТО; во вторых, из-за недоопределенности технологического режима входу ТО может соответствовать несколько близких друг к другу выходов , и наоборот. Пользуясь аналогией из теоретической механики, второй компонент элемента из D3 можно сравнить трубкой прямых путей. Это придает конструкции B(X)xB(X) совсем иной смысл, чем в D0 и D1 из КС ТО. Структура D4 раскрывает последовательность и пути реализации ТМ. В микроэлектронике приближенным и редуцированным выражением информации, заключенной в элементе из D4 служит Сопроводительный лист к партии пластин . Структура D5 в общем виде ставит в соответствие пути осуществления ТМ его показатели качества. Ее значение аналогично D2 в КС ТО.

Первые четыре аксиомы Ах0-Ах4 носят чисто технический характер. Ах0 указывает Х сгХ, т.е. на принадлежность множества идеалов множеству состояний субстрата. Ах1 определяет метрику и меру единственным образом для заданных аргументов. Ах2 определяет свойства тождественности, симметричности и выполнения неравенства треугольника для метрики F1. Ах3 определяет свойство монотонности меры. Аксиома Ах4 гласит: Должны быть заданы все идеалы ТМ, кроме, быть может, последнего . Ах5 указывает на бессмысленность рассмотрения пустого идеала, а также наличие непустой окрестности у непустого идеала. В крайнем случае, второй компонент элемента D2 может состоять из одного элемента, равного идеалу. Аксиома Ах6 определяет множество допустимых (желаемых) состояний для данного идеала как в математическом значении окрестность точки. В некотором смысле эта аксиома избыточна (см. ниже), однако она напоминает нам, как на практике могут задаваться желаемые состояния. Аксиома Ах8, как обычно, говорит нам о непустоте компонентов элемента D3. Отметим лишь, что показатели качества ТО могут оставаться незаданными, как и выход ТО. Аксиома Ах9 определяет единственность значений критериев качества данной ТО в данном технологическом режиме. Заметим, что в определении D2 КС ТО такого условия не выдвигалось. При оценке же качества ТМ мы не можем позволить здесь переопределенности. Отметим также, что относительно D3 никаких условий единственности более не выдвигается. Это позволяет, например, рассматривать альтернативы проведения различных ТО для достижения необходимого перехода.

Так, в микроэлектронике загонку примеси вглубь подложки можно осуществлять путем либо диффузии лиганда из газовой фазы, либо ионной имплантации. Ах10 утверждает, что хотя технологической операции может соответствовать несколько технологических режимов, отличающихся по множеству входов и/или выходов , но для заданного режима элементы входа и элементы выхода ТО взаимоопределяют друг друга почти единственным образом (с точностью до близости). Иначе: Близости входов отвечает близость выходов, и наоборот . Аксиома Ах11 возвращает нас к связи структур D1 и D2: Для каждого идеала, входящего в путь ТМ, найдется его окрестность . Заметим, что можно было бы ввести этим условием терм, суживающий D1, и тогда далее ставить его в выражение для D4 вместо D1, Ах12 указывает на бессмысленность рассмотрения пустого пути ТМ. Аксиомы Ах13 и Ах14 связывают идеалы ТМ с теми ТО, которые ведут их к приближенной реализации. Ах13 гласит: Для любого идеала из пути ТМ найдется ТО с близким к нему элементом выхода (хотя бы одним) и с близким к последующему идеалу элементом выхода . Ах14 предупреждает возможность того, что какая-то точка выхода ТО не попадет на вход последующей ТО, и тогда наше описание прервется. Второй компонент D4, очевидно, более подробно, чем первый, описывает ТМ. Если два элемента из D4 совпадают по второму компоненту, то мы вправе ожидать приближенного совпадения по первому. Аксиома Ах15 требует в этом случае точного совпадения. Таким образом, разные элементы из D4 не дублируют друг друга, определяя принципиально разные технологические маршруты. Аксиома Ах16 аналогична Ах8 из КС ТО, допуская пустоту критерия качества.

В ТМ обычно присутствуют особые технологические операции, предназначенные не для изменения состояния субстрата, а для его измерения. В микроэлектронике существует даже специальное оборудование (тестеры) для этого. В нашей КС эти ТО выделены с помощью термов TR1 и TR2 в особые группы. Если субстрат не испытывает существенного влияния при тестировании (например, зрительный осмотр внешнего вида), то это неразрушающий метод контроля; его отображает TR1, причем показатели качества ТО служат для записи выходных данных теста Разрушающий метод контроля задается термом TR2, причем выходу ТО приписывается пустое значение. Естественно, что эта ТО является последней в ТМ. Заметим, что в силу Ax4 вполне допустимо prm+1d=0 (deD1) (см. также Ах8 для D3). Для некоторого ТМ (deD4) термы TR3d и TR4d имеют геометрическую иллюстрацию на рис.2 в виде множества исходных состояний и множества конечных состояний. На базе последнего с помощью меры F2 можно оценить процент выхода годных. Для точного вычисления выхода годных желательно ввести для каждой ТО вероятностную меру, что потребовало бы усложнения предлагаемой КС ТМ, В первом, и отнюдь не вполне оправданном предположении, точка входа переходит в точку выхода равновероятно. Кроме того, тогда бы пришлось в выражении для D3 использовать не стандартную конструкцию B(X)xB(X), а конструкцию вида B(XxB(X)). Напрашивается построить, помимо выхода годных, другое число (extd), отвечающее примерно такому вопросу: В какой степени ТМ увеличивает погрешность исходных данных (субстрата)? .

3. Некоторые замечания к КС ТО и КС ТМ

Предложенный нами вариант КС ТМ имеет ряд особенностей, которые связаны с незавершенностью схемы. Это относится в первую очередь к числам ш, 81, 82, конструкциям F1 и F2, а также к показателям качества. Для любого элемента D5 путь ТМ состоит из фиксированного, равного ш, числа шагов. На практике же важно рассматривать, например, альтернативные пути, для которых число шагов не оговаривается, но оговаривается конечный проект. Из эстетических соображений лучше избегать присутствия чисел 81, 82 в КС ТМ. Непонятно, правда, как в противном случае можно соотнести (см. D4) пути ТМ именно те ТО, которые его реализуют. В нашей КС ТМ это достигается выполнением условия близости к идеалу хотя бы одной точки входа ( выхода ) ТО. В этой связи КС ТМ должна идейно включать в себя КС Процесса оценки различий и КС Процесс сравнения [1 ]. Вводимые нами в КС ТО и КС ТМ показатели качества частично пояснялись нами ранее. Возможно, предложенное для множеств Х5 (КС ТО), Z1 и Z (КС ТМ) название не вполне удачное, и более подходит- агрегированные характеристики ТО (ТМ) . Формулировка D5 (КС ТМ) дана нами весьма абстрактно, и желательно более явно связать Z=Z(Z11,Z12,..., Z1m). Последние два момента заставляют нас задать вопрос: можно ли рассматривать ТО и ТМ как объект управления (ОУ), и если да, то в чем его специфика? .

Напомним, что ранее мы указывали на целенаправленность ТО, хотя этот аспект оказался вне рамок КС ТО. В не меньшей степени целенаправленность присуща и технологическому маршруту. Символом целенаправленной системы (ЦНС) является летящая на Марс ракета. В [1] приведена общая схема ЦНС в виде системы процессов, приводящих ОУ к цели. Также считается, что ЦНС является динамической системой, находящейся под управлением. Основные понятия (множества), описывающие динамическую систему- это: T- моменты времени, X- состояния динамической системы, R- мгновенные входные управления, S- мгновенные входные возмущения, Y- выходы системы (данные, получаемые о системе наблюдателем). С этой точке зрения можно провести соответствие: TX0, XB(X)xX1xB(X2), B(X3)xB(X4), ,Y5. Обычно предполагается, что

управляющее воздействие u(t)eR вырабатывается на основе информации о прошлых состояниях x(ti)eX, ti<t и текущем s(t)e S, а также сравнении с целью. На современном уровне развития технологии (по крайней мере, в области микроэлектроники) эта стратегия не реализуется. Разработчики знаменитой Roadmap выражали сожаление, что нельзя пока создать датчики in situ, выдерживающие высокие температуры. Кроме тог, в силу свойства массовости ТО субстраты, находясь в различных точках пространства, неизбежно будут испытывать отклонения (возмущения), которые нельзя одновременно скомпенсировать единым управляющим воздействием. Поэтому при оптимизации ТО целесообразно использовать лишь аппарат классического вариационного исчисления [5]. Стратегия достижения цели состоит в проведении ТО в таких физических условиях, при которых бы исключались или уменьшались по амплитуде неконтролируемые воздействия (возмущения). Основной целью ТО является